为抓住行业机遇，三星、SK海力士和美光三大存储巨头正加速推进新工厂建设计划，以应对人工智能领域带来的强劲需求。

据报道，美光的投资计划规模庞大，包括在美国爱达荷州博伊西建设大型园区，该园区将拥有规模可观的洁净室和晶圆厂，预计投产后将显著提升其全球总产能。此外，美光在纽约州也有大规模的投资规划。

SK海力士位于龙仁的半导体集群项目总投资额巨大，其首座晶圆厂的试产时间已有所提前。三星也调整了平泽P4工厂的建设时间表，该工厂预计将提供可观的月产能。

然而，分析指出，由于AI产品对DRAM，特别是高带宽内存（HBM）的需求极为旺盛，新增的产能将主要被用于填补AI领域的巨大缺口。原本广泛应用于消费电子产品的内存标准，现正被大量用于AI基础设施。智能体AI等应用对内存带宽的高要求，也促使制造商优先生产HBM等高端产品。

因此，尽管三大巨头正在扩大产能，但普通消费者可能难以立即从中受益。消费级市场的内存供应短缺问题，在短期内可能仍将持续。