据韩媒报道，三星电子在先进内存制程技术上取得进展。其1c nm制程DRAM内存在高温环境热测试中的良率已达到80%，相比此前有明显提升。这一良率水平标志着该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大幅增强。通常，80%至90%的良率是DRAM大规模量产的关键指标。

与此同时，基于1c nm DRAM的HBM4 AI内存的良率也有所改善，提升至接近60%。良率的提升意味着三星电子能在有限的产能中产出更多高带宽内存（HBM），从而在高利润的AI内存市场赢得更大营收规模。

与制程良率同步提升的还有三星电子的1c nm产能。其月度晶圆投片量预计将在未来显著增长。良率与产能的双重提升，有助于三星电子巩固其在全球DRAM内存市场的竞争力，并更好地应对AI时代对高性能内存的旺盛需求。